アリオス株式会社 昇温脱離ガス分析装置

昇温脱離ガス分析装置

概要

本装置は、超高真空中でサンプルを昇温し、脱離する分子を質量分析計でリアルタイム観測することが可能な分析装置です。
昇温脱離スペクトルを得ることにより、固体表面の吸着化学種の同定、吸着量や吸着状態・表面からの脱離過程などの多くの情報を得ることが可能です。

特徴

1. 超高真空下でサンプルのみを加熱する構造のためバックグラウンドが低く、水・水素・酸素・窒素などの成分においても、高感度分析が可能です。
2. ウエハ表面の汚染評価、成膜ガスの残留調査、膜はがれなどの異常原因調査、各種材料からの脱ガス調査などに最適です。
3. ロードロック室を装備し、分析室を超高真空に維持したまま試料の交換が行えます。
4. ご希望の四重極形質量分析計(QMS)に合わせた設計で、最適な装置構成をご提案致します。
5. 超高真空技術を知り尽くした当社ならではの機能的な配置により、シンプルな機能・操作性で扱いやすく、リーズナブルな価格を実現しました。

オプション

• 高周波電磁誘導加熱方式への変更
• 可動式熱電対(熱電対+直線導入器/ストローク60mm)

製作実績

Ⅰ) 赤外線加熱方式（1000℃タイプ）

昇温温度範囲	室温（RT） ～ 1000℃（Max）
サンプル寸法	10mm×10mm 3mmt
基板ステージ材質	石英
到達圧力	1×10-7Pa以下（分析室）
加熱方法	赤外線加熱方式 ハロゲンランプ 500W（水冷式）＋ゴールドミラー
基板搬送	トランスファーロッド（手動） ※サンプルは石英ホルダーに入れて搬送
温度センサ	Cタイプ熱電対（ヒータ制御用） Kタイプ熱電対（サンプル温度測定用/60mm可動接触式） ※可動式熱電対はオプションです。
測定質量数範囲	1 ～ 200amu ※QMSの仕様による
最小検出分圧	＜1×10-12Pa ※QMSの仕様による
外観

Ⅱ) 赤外線加熱方式（700℃タイプ）

昇温温度範囲	-100℃ ～ 700℃(Max)
サンプル寸法	10mm×10mm 3mmt
基板ステージ材質	石英
到達圧力	1×10-7Pa以下(分析室)
加熱方法	赤外線加熱方式 ハロゲンランプ 150W＋ゴールドミラー
冷却機構	液体窒素による冷却
基板搬送	トランスファーロッド(手動) ※サンプルは石英ホルダーに入れて搬送
温度センサ	Kタイプ熱電対（ヒータ制御用） Kタイプ熱電対（サンプル温度測定用）
測定質量数範囲	1 ～ 100amu ※QMSの仕様による
最小検出分圧	＜1×10-12Pa ※QMSの仕様による
外観

Ⅲ) 電子刺激脱離(ESD)測定との複合特殊仕様機（参考仕様）

規格品以外にも、特殊仕様の製作も可能です。下記よりお問い合わせください。

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