高純度のダイヤモンド合成実験のために作られた、プラズマCVD装置です。
ダイヤモンドの単結晶（ホモエピタキシャル）成長実験のほか、各種のガス導入により、ダイヤモンド半導体の合成実験も可能です。
大面積かつ高速成長に対応した生産用途向けのMP-CVD装置「DCVD301B/601B」や、ホットフィラメントCVD法を採用したHF-CVD装置「HFCVDシリーズ」もラインアップしています。
| 型式 | DCVD-151LS | DCVD-151L | DCVD-151B |
| 到達真空度 | 1×10-5Pa以下 | 1Pa以下 | |
| チャンバー材質/形状 | SUS製 球形チャンバー | Al製 球形チャンバー | |
| チャンバー構成 | 2チャンバー（ロードロック） | 1チャンバー | |
| 排気系 | ターボ分子ポンプ＋ドライポンプ（成膜室）、ドライポンプ（交換室） | ドライポンプ（＋ターボ分子ポンプ） | |
| 圧力調整 | 自動圧力制御器（APC） | ||
| 真空計 | フルレンジ真空計＋隔膜真空計（成膜室）＋ピラニ真空計（交換室） | ピラニ真空計＋フルレンジ真空計＋隔膜真空計（APC用） | |
| 制御方式 | タッチパネル（手動） | ||
| マイクロ波 | 0～1.5kW連続可変（2.45GHz±50MHz）＋立体回路＋手動整合器 | ||
| マイクロ波給電方式 | アンテナ給電式（試料ステージ兼用） | ||
| 温度測定 | 放射温度計 | ||
| ガス供給系 | MFC2系統（H2、CH4）、最大7系統 | ||
| 試料交換 | ロードロック式 | N/A | |
| 試料ホルダー サイズ/ 基板加熱方式 |
φ20mm プラズマ加熱：MAX1200℃、内部水冷 |
||
| 基板サイズ（最大） | □7mm×1個 | ||
| リーク量 | 1.0×10-8Pa・m3/s以下（Oリング透過分を除く） | ||
| 本体架台 | キャスター、アジャスター付き（電源部を含む）、重量約150kg | キャスター、アジャスター付き（電源部を含む）、重量約130kg | |
| 用力 | 電力：［本体］AC200V 三相 15A、［チラー］AC200V 単相 10A 圧縮空気：0.5MPa、プロセスガス：H2、CH4（1/4"Swagelok or 1/4"VCR） |
||
規格品以外にも、特殊仕様の製作も可能です。下記よりお問い合わせください。
お問い合わせ ＞
トップページ