アリオス株式会社 ダイヤモンド合成用HF-CVD装置 HFCVDシリーズ

ダイヤモンド合成用HF-CVD装置 HFCVDシリーズ

概要

本装置は、ダイヤモンド合成を本格的に行うためのホットフィラメント型CVD装置です。
基本システムに加え各種オプションを選択することにより、幅広いニーズに対応します。
ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長とヘテロエピタキシャル成長が可能です。

高純度のダイヤモンド合成実験が可能な単結晶ダイヤモンド合成用CVD装置「DCVD151シリーズ」や、 生産用途向けに、大面積かつ高速成長を実現したダイヤモンド合成用CVD装置「DCVD301B/601B」などのマイクロ波プラズマCVD装置もラインアップしています。

特徴

  1. 特許技術の2層式フィラメント構造や当社独自の加熱制御方式により、高速成長が可能
  2. 水冷式のチャンバーと電極により、長時間運用に対応
  3. 当社独自の自動圧力制御器(APC)により、安定したプロセスを実現
  4. 放射温度計を標準搭載し、基板温度を正確に測定
  5. タッチパネル式液晶モニターを採用し、自動レシピ運転が可能

仕様

型式 HFCVD-6FHA HFCVD-6FV
到達真空度 5×10-4Pa以下
チャンバー材質/形状 SUS製 横型チャンバー SUS製 縦型チャンバー
チャンバー構成 1チャンバー
排気系 ターボ分子ポンプ+ドライポンプ
圧力調整 自動圧力制御器(APC)
真空計 フルレンジ真空計+隔膜真空計(APC用)
制御方式 タッチパネル(手動)
フィラメント加熱電力 0~1.6kW連続可変(定電流モード、定電力モード)×2
基板冷却方式 水冷
温度測定 放射温度計(フィラメント用、基板用 各1台)
ガス供給系 MFC2系統(H2、CH4)、最大7系統
試料ホルダー サイズ/
移動・回転機構
φ80mm
基板回転機構(モーター式:回転数可変0~30rpm)
ベローズ式上下移動機構(ストローク50mm)
基板サイズ(最大) φ3インチ×1個
リーク量 1.0×10-8Pa・m3/s以下(Oリング透過分を除く)
本体架台 キャスター、アジャスター付き(電源部を含む)、重量約200kg
用力 電力:[本体]AC200V 三相 40A、[チラー]AC200V 単相 15A
圧縮空気:0.5MPa、プロセスガス:H2、CH4(1/4"Swagelok or 1/4"VCR)
※標準仕様以外にも、要求仕様に応じ設計製作致します。
研究開発受託業務・コンサルティングアリオスのソリューション

オプション

  • ガス系統追加(最大7系統まで)
  • 自動制御(レシピ運転)
  • フィラメント加熱電力増強
  • 基板加熱機構

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原理図

規格品以外にも、特殊仕様の製作も可能です。下記よりお問い合わせください。

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