本装置は、ダイヤモンド生産用のマイクロ波プラズマCVD装置です。
当社独自のプラズマ技術を駆使し、大面積かつ高速成長を実現しました。生産機ニーズにお応えします。
2インチまでの基板に対応し、ホモエピタキシャル成長とヘテロエピタキシャル成長が可能です。
高純度のダイヤモンド合成実験が可能な単結晶ダイヤモンド合成用CVD装置「DCVD151シリーズ」や、 ホットフィラメントCVD法を採用したダイヤモンド合成用HF-CVD装置「HFCVDシリーズ」もラインアップしています。
| 型式 | DCVD-301B | DCVD-601B |
| 到達真空度 | 1×10-1Pa以下 | |
| チャンバー材質/形状 | Al製 特殊ドーム型チャンバー | |
| チャンバー構成 | 1チャンバー | |
| 排気系 | メカニカルブースターポンプ＋ドライポンプ＋ターボ分子ポンプ | |
| 圧力調整 | 自動圧力制御器（APC） | |
| 真空計 | ピラニ真空計＋フルレンジ真空計＋隔膜真空計（APC用） | |
| 制御方式 | タッチパネル（手動） | タッチパネル（全自動） |
| マイクロ波 | 0～3kW連続可変（2.45GHz）＋手動整合器 | 0～6kW連続可変（2.45GHz）＋自動整合器 |
| マイクロ波給電方式 | アンテナ給電式（試料ステージ兼用） | |
| 温度測定 | 放射温度計 | |
| ガス供給系 | MFC5系統（H2、CH4、N2、O2、Ar）、最大7系統 | |
| 試料ホルダー サイズ/ 基板加熱方式 |
φ27mm プラズマ加熱：MAX1200℃、内部水冷 |
φ54mm プラズマ加熱：MAX1200℃、内部水冷 |
| 基板サイズ（最大） | □5mm×7個 or φ1インチ×1個 | □5mm×25個 or φ2インチ×1個 |
| リーク量 | 1.0×10-8Pa・m3/s以下（Oリング透過分を除く） | |
| 本体架台 | キャスター、アジャスター付き（電源部を含む）、重量約250kg | |
| 用力 | 電力： ［本体］AC200V 三相 30A ［チラー］AC200V 単相 15A ※DCVD-301B ［本体］AC200V 三相 50A ［チラー］AC200V 三相 20A ※DCVD-601B 圧縮空気：0.5MPa プロセスガス：H2、CH4、N2、O2、Ar（1/4"Swagelok or 1/4"VCR） |
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規格品以外にも、特殊仕様の製作も可能です。下記よりお問い合わせください。
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